IGBT  مخفف شده  Insulated Gate Bipolar Transistor است و یک نوع ترانزیستور قدرتی است که برای کاربردهای الکترونیکی با بالاترین ولتاژها و جریان‌ها طراحی شده است. IGBT یک ترکیب از ترانزیستور MOSFET و ترانزیستور bipolar است و ویژگی‌هایی از هر دو را در خود دارا می‌باشد.

IGBT دارای ولتاژ بالا و عملکرد سریع است و به دلیل این ویژگی‌ها، به عنوان یک سوئیچ قدرتمند در کاربردهایی مانند مبدل‌های برق، درایورهای موتورهای الکتریکی، اینورترهای قدرت و سیستم‌های راه‌اندازی موتور استفاده می‌شود. عملکرد بهتر و کم‌ترین اتلاف توان نسبت به دیگر سوئیچ‌های قدرتی، مزیت‌هایی هستند که IGBT برای بسیاری از کاربردهای قدرتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.

IGBT یک ترکیب از دو ترانزیستور MOSFET و bipolar است که برای کاربردهایی با ولتاژ بالا و جریان بالا طراحی شده است. با توجه به ویژگی‌هایی که از هر دو ترانزیستور در خود دارا می‌باشد، IGBT از دیگر ترانزیستورهای قدرتی به دلیل مزایای بیشتری که دارد، مثل عملکرد بهتر، هزینه پایین‌تر و اندازه کوچک‌تر، برای کاربردهای بیشتری استفاده می‌شود.

به عنوان یک ترانزیستور قدرتی، IGBT می‌تواند جریان‌های بالا را کنترل کند، اما در مقایسه با MOSFET، باعث ایجاد کمترین اتلاف توان می‌شود. این یعنی، در صورتی که بخواهیم جریان بالایی را کنترل کنیم، MOSFET باعث افت ولتاژ قابل توجهی می‌شود، اما IGBT باعث کاهش این افت ولتاژ می‌شود. به همین دلیل، IGBT به عنوان یک سوئیچ قدرتمند استفاده می‌شود، که انتقال انرژی الکتریکی را در انواع دستگاه‌های الکترونیکی با ولتاژ بالا و جریان بالا ممکن می‌کند.

به طور خلاصه، IGBT به دلیل ویژگی‌هایی که از ترانزیستور MOSFET و bipolar در خود دارا می‌باشد، به عنوان یک ترانزیستور قدرتی قابل اعتماد و موثر شناخته شده است. IGBT در بسیاری از کاربردهای الکترونیکی با ولتاژ بالا و جریان بالا مانند مبدل‌های برق، درایورهای موتورهای الکتریکی، اینورترهای قدرت و سیستم‌های راه‌اندازی موتور استفاده می‌شود.